半浮栅晶体管的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110852972.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113471294A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113471294A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚风丛;曹开玮 | 申请（专利权）人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半浮栅晶体管的制作方法。所述制作方法中，依次形成栅介质材料层、第一浮栅材料层以及掩膜材料层，然后利用图形化的掩膜材料层作掩膜且利用栅介质材料层作阻挡，刻蚀第一浮栅材料层而形成限定出半导体衬底上的接触窗口设置区的第二开口，然后利用无掩膜方式去除掩膜材料层和位于接触窗口设置区的栅介质材料层，形成半浮栅的接触窗口，相较于利用经多层涂敷得到的掩膜结构来制作接触窗口的方法，本发明的制作方法更为简便，而且利用无掩膜方式刻蚀后直接得到接触窗口，不需要再去除掩膜材料，可降低原生氧化层的影响，有助于使后续形成的半浮栅与半导体衬底之间具有良好接触，从而有助于提升器件性能，便于规模量产。 |
