半导体器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110739263.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451343A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451343A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛广杰 | 申请（专利权）人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的背照式图像传感器的制备方法中，由于先对衬底进行了P型离子注入以形成P型掺杂层，之后刻蚀P型掺杂层形成开槽，并使开槽的宽度大于被开槽分割后形成的P型结构的宽度。如此一来，则降低了后续生长在开槽内的外延结构的深宽比，进而在对外延结构进行N型离子注入时，能够提升注入效果，以提升最终制备而成的背照式图像传感器的性能。 |
