一种半导体激光焊接方法
基本信息
| 申请号 | CN200810217663.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101428372A | 公开（公告）日 | 2009-05-13 |
| 申请公布号 | CN101428372A | 申请公布日 | 2009-05-13 |
| 分类号 | B23K26/20(2006.01)I;B23K26/40(2006.01)I | 分类 | 机床；不包含在其他类目中的金属加工; |
| 发明人 | 高云峰;姜钧;陆业钊;倪明生;陈玩林 | 申请（专利权）人 | 深圳市大族微加工软件技术有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳市大族激光科技股份有限公司;大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区深南大道9988号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光焊接方法，所述焊接方法包括以下4个阶段：升温阶段，激光功率从零逐渐上升，焊料的温度从室温升至熔点或接近熔点；维持阶段，激光功率按升温阶段末的激光功率W1维持不变或略有上升；熔化阶段，激光功率在维持阶段末的基础上继续上升，至焊料全部熔化或接近全部熔化；后续阶段，激光功率按熔化阶段末的激光功率W3维持不变，至焊接完成。本发明通过工艺参数优化可使工件，样品达到焊点附着力大为提高，其中对于锡焊，一次焊接成功率达到100％，无出现虚焊，漏焊，脱焊等情况并且能够有效避免被焊工件的氧化现象。对于塑料焊接能够达到连续焊接无首末点重点现象发生，并且焊点的强度能够超过本身材料的强度。 |
