提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510881186.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106848005B | 公开（公告）日 | 2020-02-18 |
| 申请公布号 | CN106848005B | 申请公布日 | 2020-02-18 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/14;H01L33/42 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱秀山;王倩静;徐慧文;李起鸣;张宇 | 申请（专利权）人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区新元南路555号金融中心211室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成石墨烯；4）在石墨烯表面形成反射层；5）在反射层表面、内侧及第一深槽底部形成反射层保护层；6）采用原子层沉积法在步骤5）得到的结构表面形成氧化铝层；7）在氧化铝层内形成第一开口及第二开口；8）在第二开口内形成N电极，在第一开口内及氧化铝层表面形成P电极。采用原子层沉积制备的氧化铝层具有更好的绝缘性能和金属阻挡性能，从而保证倒装芯片在大电流使用下的可靠性能。 |
