GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910802909.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110635005A | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN110635005A | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）; H01L33/12（2010.01）; H01L33/14（2010.01）; H01L33/32（2010.01）; H01L33/00（2010.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 游正璋; 卢国军 | 申请（专利权）人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 200135 上海市浦东新区泥城镇鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层和InGaN层，其中，InAlGaN层具有P型掺杂，InGaN层未掺杂。上述外延结构，其P型外延层中由于设有超晶格结构，能够提升空穴的传输能力，且选用InAlGaN层和InGaN层，既能提高对电子的阻挡能力，避免电子进入P型外延层消耗空穴，还能释放应力，使结构更加稳定。 |
