一种垂直结构LED芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811629262.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109713090B | 公开（公告）日 | 2020-02-18 |
| 申请公布号 | CN109713090B | 申请公布日 | 2020-02-18 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/20 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱酉良 | 申请（专利权）人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括导电衬底，形成于导电衬底的下表面的P电极，依次设置于导电衬底的上表面的具有键合面的第一键合结构、具有键合面的第二键合结构、反射层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层和N电极；其中，第一键合结构和第二键合结构的材料相同，第一键合结构的键合面朝向第二键合结构的键合面。本发明通过将第一键合结构和第二键合结构设计成为两个材料相同的键合结构，使得在形成第一键合结构和第二键合结构时仅需一套设备就可以完成，可以减少人工需要，从而节约了成本，优化了产线工艺。 |
