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GaN基发光二极管外延结构

基本信息

申请号 CN201910801993.5 申请日 -
公开（公告）号 CN110635004A 公开（公告）日 2019-12-31
申请公布号 CN110635004A 申请公布日 2019-12-31
分类号 H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 分类 基本电气元件;
发明人 卢国军;游正璋 申请（专利权）人 映瑞光电科技（上海）有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 映瑞光电科技（上海）有限公司
地址 200135 上海市浦东新区泥城镇鸿音路1889号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；应力调节层，其禁带宽度位于N型外延层和发光层之间，应力调节层包括依次叠设于N型外延层上的第一至第M周期结构层，各周期结构层包括交替设置的势阱和势垒，自N型外延层至发光层方向，第一至第M周期结构中的势阱和势垒的禁带宽度递减以逐渐趋近于发光层的禁带宽度，M≥2；发光层，位于应力调节层上，发光层的禁带宽度小于N型外延层的禁带宽度；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，位于电子阻挡层上。通过设置应力调节层并使应力调节层中的势阱和势垒均呈递减趋势，可以削弱发光层的极化效应，提高电子和空穴的复合几率。