一种LED芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810118960.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108365061B | 公开（公告）日 | 2020-01-14 |
| 申请公布号 | CN108365061B | 申请公布日 | 2020-01-14 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）; H01L33/38（2010.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于婷婷 | 申请（专利权）人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，首先提供一包含N型外延层、量子阱层及P型外延层的外延结构，刻蚀所述外延结构形成隔离凹槽，刻蚀靠近所述隔离凹槽的部分所述P型外延层及量子阱层，直至暴露出N型外延层，然后形成功能层、第一绝缘层、金属连接层、第二绝缘层及键合金属层，通过金属连接层将N型外延层和功能层连接，通过键合金属层与第二衬底键合并去除第一衬底，最后在暴露出的N型外延层上形成保护层及N型衬垫，形成具有垂直结构的LED芯片。本发明通过形成金属互连层，在芯片阶段实现集成有利于后段封装工艺的操作，提高芯片的散热能力和发光效率的同时，减少生产成本。 |
