一种LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN201811626985.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109713103B | 公开（公告）日 | 2021-03-02 |
| 申请公布号 | CN109713103B | 申请公布日 | 2021-03-02 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈铭 | 申请（专利权）人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘翔 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种LED芯片，包括：依次堆叠的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；反射层，形成于所述P‑GaN层上；阻挡层，形成于所述反射层上，所述阻挡层覆盖所述反射层；所述阻挡层与所述P‑GaN层相接触的部分的材料层的材料为Al、Ag、Zn、AlCu合金中的一种或多种。本发明将阻挡层中与P‑GaN层表面和反射层表面相接触的材料层替换成具有高反射率的金属层，使阻挡层即能减少吸光，又保持原有的保护反射层的作用，实现提高LED芯片的出光率，进而提高所述LED芯片亮度的目的。 |
