一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910685542.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110600558B | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN110600558B | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L31/0224;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 瞿辉;曹玉甲;王芹芹 | 申请（专利权）人 | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州知融专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 路接洲 |
| 地址 | 213169 江苏省常州市武进区高新技术产业开发区阳湖路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种适用于P+选择性发射极电池的硼工艺，包括以下步骤：（1）恒定源硼旋涂；（2）烘干；（3）进舟于炉管内；（4）检漏；（5）升温氧化；（6）无氧推进；（7）高温氧化；（8）降温；（9）低温乘积硼源；（10）低温推进；（11）出舟；（12）激光掺杂。本发明通过恒定源硼推进与气体硼源掺杂的共同作用，一方面形成了轻掺杂区域，拥有较高表面浓度浅结的结构，可有效地提升电池的开路电压和短路电流；另一方面用激光进行二次掺杂形成重掺杂区域，可有效的改善欧姆接触，提升填充因子。 |
