一种高压MOS管
基本信息
| 申请号 | CN202120518307.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214477472U | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN214477472U | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/10;H01L23/367;F16F15/08 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何海洋;胡健峰;彭强;梁金 | 申请（专利权）人 | 无锡市查奥微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王俊 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D座562室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于半导体电子元件技术领域，尤其为一种高压MOS管，包括下包胶，所述下包胶的内底壁上设置有基底，所述基底的上表面设置有散热片，所述散热片的上端固定安装有半导体硅衬底，所述半导体硅衬底上表面的左右两端分别设置有阱区一和阱区二，所述阱区一的上端固定安装有源极，所述阱区二的上端固定安装有漏极，所述半导体硅衬底上表面的中间位置设置有阱区三。本实用新型通过设置连接块和L型块卡接，使得上包胶和下包胶在胶合的同时其后端进行卡接，通过安装孔固定MOS管时也使上包胶和下包胶的连接更加稳定，避免MOS管受到撞击或震动时上包胶和下包胶直接脱离，使其内部的零部件脱落。 |
