一种垂直功率MOS半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202120506903.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214315997U | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN214315997U | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H05K7/14（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 何海洋;胡健峰;彭强;梁金 | 申请（专利权）人 | 无锡市查奥微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王俊 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座D座562室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及垂直功率MOS半导体器件技术领域，尤其为一种垂直功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体和壳体，所述MOS半导体主体和壳体滑动连接，所述壳体的内侧开设有第一滑槽，所述第一滑槽上滑动连接有第一滑块，所述壳体的外侧开设有第二滑槽，所述第二滑槽上滑动连接有第二滑块，所述第二滑块的一侧和第一滑块固定连接，所述第二滑块的另一侧固定连接有滑动板，所述滑动板和壳体滑动连接，所述滑动板的顶部固定连接有伸缩板。本实用新型通过第一滑块、第二滑块和防滑纹的作用，使得工作人员在需要使用垂直功率MOS半导体时，可以便捷的将垂直功率MOS半导体从壳体内移动出，从而可以对其进一步使用。 |
