一种晶体生长方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202010562410.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111663176B | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN111663176B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | C30B9/00（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王宇;官伟明;梁振兴;李敏 | 申请（专利权）人 | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都七星天知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨永梅 |
| 地址 | 620010 四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种晶体生长方法和装置。该晶体生长方法和装置能够抑制晶体生长过程中生长腔体的氧化挥发。在对装有生长晶体的原料的生长腔体进行初步抽真空处理后，在加热生长腔体过程中，对生长腔体进行二次抽真空处理，然后向生长腔体通入保护气体以及对生长腔体进行换气处理，能有效地减少生长腔体内的氧气，进而抑制晶体生长过程中的生长腔体氧化挥发的问题，从而提高晶体质量。 |
