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一种晶体制备方法

基本信息

申请号 CN202011524796.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112708933B 公开（公告）日 2022-02-08
申请公布号 CN112708933B 申请公布日 2022-02-08
分类号 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王宇;杨田;梁振兴;李敏 申请（专利权）人 眉山博雅新材料股份有限公司
代理机构 成都七星天知识产权代理有限公司 代理人 严芳芳
地址 620010 四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种晶体制备方法。所述方法包括：将籽晶置于生长腔体的顶部；将源材料置于所述生长腔体的底部；分别将第一温度补偿组件和第二温度补偿组件安装到所述生长腔体的上表面和下表面；将加热组件置于所述生长腔体的外部；通过所述加热组件、所述第一温度补偿组件和所述第二温度补偿组件对所述生长腔体加热；在晶体生长过程中，基于至少一个晶体生长参数，调节所述加热组件、所述第一温度补偿组件和所述第二温度补偿组件的加热功率，使得晶体生长界面与所述源材料间的温场保持基本稳定。