一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法
基本信息
| 申请号 | CN202210380098.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114690316A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114690316A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | G02B6/13（2006.01）I;G02B6/136（2006.01）I;G02B6/134（2006.01）I;G02B6/12（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 董晓君;曹鹏;王雪;李珍珍;石磊;赵梦凡 | 申请（专利权）人 | 山东建筑大学 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 250100山东省济南市历城区凤鸣路1000号山东建筑大学材料科学与工程学院 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于量子通信中波导的刻蚀工艺方法，高质量铌酸锂波导在量子通信中至关重要，波导质量决定了芯片的质量，进而影响在量子通信中的传输量与传输速度，选用铌酸锂晶圆为衬底，在其正Z面沉积铬层、旋涂光刻胶，后经光刻、铬腐蚀在铌酸锂晶圆上得到波导图形，再经质子交换、刻蚀等工艺过程，得到高质量波导，光刻胶厚度控制在600‑700nm；氢离子与锂离子进行交换，质子源为配比4270：1的苯甲酸与苯甲酸锂熔融态，质子交换炉温度170℃、时间10‑24h；湿法刻蚀过程中，1：2.5氢氟酸和硝酸刻蚀液，16‑20℃的刻蚀温度。本发明采用的刻蚀工艺方法，使得展宽精准控制、刻蚀速率稳定、波导表面光滑、传输损耗低。 |
