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基于二维钙钛矿单晶的LED及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010347661.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111261796A 公开（公告）日 2020-06-09
申请公布号 CN111261796A 申请公布日 2020-06-09
分类号 H01L51/50(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 蒋小强;何云;许剑;刘桂芝 申请（专利权）人 上海银行股份有限公司浦东分行
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 上海南麟电子股份有限公司
地址 201210上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种基于二维钙钛矿单晶的LED及其制备方法，二维钙钛矿单晶复合结构包括M≥2个堆叠的二维钙钛矿单晶；二维钙钛矿单晶包括N≥2层二维钙钛矿单层；二维钙钛矿单层包括n层共角卤化铅八面体、n‑1层有机配体A及2层有机配体B，n≥1，二维钙钛矿单层的化学式为B2An‑1PbnX3n+1，X为卤族元素，有机配体B的碳原子数大于有机配体A；同一个二维钙钛矿单晶中的二维钙钛矿单层具有相同的n值，且远离电子注入层的二维钙钛矿单晶中的n值大于临近电子注入层的二维钙钛矿单晶的n值；具有注入效率高、环境稳定性高和电光转换效率高的优点。