一种带隙基准电路
基本信息
| 申请号 | CN202111644099.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114115433A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114115433A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | G05F3/26（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 谭在超;罗寅;涂才根;张胜;丁国华 | 申请（专利权）人 | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人 | 毕东峰 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市杨舍镇沙洲湖科创园A1幢9层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种带隙基准电路，所述电路包括由三极管（Q1，Q2）、电阻（R1，R2），构成的电流偏置模块，三极管（Q3，Q4，Q5，Q6，Q7，Q8，Q9，Q10）、电阻（R7，R8）及电容C1构成的运算放大器模块，NMOS管（N1，N2）、PMOS管（P1，P2）构成的电流镜结构，为运算放大器模块供电，电阻（R3，R4，R5，R6）构成的电阻串，运算放大器模块连接Vbg电压，若Vbg电压偏大，则电阻串电流偏大，从而将Vbg电压拉低；若Vbg电压偏低，则电阻串电流偏低，三极管Q10的下拉电流偏低且低于PMOS管P2的电流源，PMOS管P2电流源则将Vbg电压上拉，形成负反馈，本发明拓宽了带隙基准电路对电源电压的工作范围要求，尤其在低电源电压应用时极具优势。 |
