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一种理想二极管

基本信息

申请号 CN202111477335.9 申请日 -
公开（公告）号 CN114221524A 公开（公告）日 2022-03-22
申请公布号 CN114221524A 申请公布日 2022-03-22
分类号 H02M1/08（2006.01）I;H02M3/07（2006.01）I;H03K5/24（2006.01）I;H03K19/0185（2006.01）I 分类 发电、变电或配电;
发明人 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 申请（专利权）人 苏州锴威特半导体股份有限公司
代理机构 南京众联专利代理有限公司 代理人 毕东峰
地址 215600江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种理想二极管，包括控制IC芯片和PMOS管，控制IC芯片内部包括电源偏置使能模块、芯片内部低压电源VCC模块、第一比较器CMP1、第二比较器CMP2、电平转换模块、运算放大器AMP，运算放大器AMP包括由三极管Q1和三极管Q2组成的第一组电流镜，由三极管Q3和三极管Q4组成的第二组电流镜，由PMOS管P4、PMOS管P6和电阻R2组成的第一输出支路以及由PMOS管P5、PMOS管P7和电阻R3组成的第二输出支路，运算放大器AMP的输出端连接PMOS管的栅端，本发明提供的一种理想二极管，在外围上节省了电荷泵电容，控制IC芯片内部节省了电荷泵的设计，整个体积得到了极致的精简。