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一种低损耗理想二极管

基本信息

申请号 CN202121349428.9 申请日 -
公开（公告）号 CN215120606U 公开（公告）日 2021-12-10
申请公布号 CN215120606U 申请公布日 2021-12-10
分类号 H02M7/217（2006.01）I;H02M3/07（2006.01）I;H02M1/08（2006.01）I 分类 发电、变电或配电;
发明人 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 申请（专利权）人 苏州锴威特半导体股份有限公司
代理机构 南京众联专利代理有限公司 代理人 郭微
地址 215600江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。