一种低温漂电源电压检测电路
基本信息

| 申请号 | CN202120168469.1 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN214585663U | 公开(公告)日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN214585663U | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | G01R19/00(2006.01)I;G01R1/20(2006.01)I | 分类 | 测量;测试; |
| 发明人 | 谭在超;张胜;涂才根;丁国华;罗寅 | 申请(专利权)人 | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人 | 郭微 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本实用新型公开了一种低温漂电源电压检测电路,所述电路的第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第三PMOS管P3的源极连接电源电压VCC,第一PMOS管P1的漏极和栅极以及第二PMOS管P2的栅极连接在一起,第二PMOS管P2的漏极连接第三PMOS管P3的栅极,第三PMOS管P3的漏极连接第五电阻R5,第一电阻R1和第二电阻R2的连接点接第一NPN型三级管Q1的基极,第一NPN型三级管Q1的集电极接第一PMOS管P1的漏极,第一NPN型三级管Q1的发射极连接第三电阻R3,第一NPN型三级管Q1的基极连接第二NPN型三级管Q2的基极,第二NPN型三级管Q2的集电极连接第二PMOS管P2的漏极,第二NPN型三级管Q2的发射极、第三电阻R3与第四电阻R4相连接,节省了芯片面积,减小了功耗电流,极大地降低了应用成本。 |





