一种用于碳化硅晶片腐蚀装置
基本信息
| 申请号 | CN202021747962.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213061107U | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN213061107U | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | C30B33/10;C30B29/36 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 胡秋冬 | 申请（专利权）人 | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 汤东凤 |
| 地址 | 362211 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于碳化硅晶片腐蚀装置，包括机械臂、坩埚和加热炉，坩埚放置在加热炉内，坩埚内装有碱性腐蚀液，所述机械臂包括立柱、正反转电机、升降支架和机械手，正反转电机安装在立柱上，所述升降支架由固定导轨、齿轮条和“7”字型支架组成，所述正反转电机主轴前面装有齿轮，所述正反转电机转动带动齿轮转动，通过齿轮条及固定导轨带动支架上下移动，所述支架前端通过快速转换接头连接机械手。本实用采用自动化的将晶片放入强碱腐蚀液，代替人为操作，避免人员受到伤害，且机械手设置有一定的倾斜角，使得晶片倾斜的进入到强碱腐蚀液中，容易被浸没，倾斜的拿出，减少了腐蚀液附着在晶片的表面张力，解决了破片和过腐蚀的风险。 |
