抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201910947236.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110653720B | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN110653720B | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | B24B37/24(2012.01)I;H01L21/67(2006.01)I;B24B37/26(2012.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张洁;林武庆;陈文鹏;叶智荃 | 申请（专利权）人 | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超成律师事务所 | 代理人 | 董佳 |
| 地址 | 362200福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件，涉及半导体技术领域，抛光器件包括：抛光头；抛光垫，所述抛光垫设置在所述抛光头的表面上；其中，所述抛光垫呈环形，所述抛光垫的环宽为10‑80mm，所述抛光垫的厚度为0.5‑6mm。利用该抛光器件抛光获得的半导体器件表面粗糙度低、平坦度高、TTV值较低以及TTV值较为集中。 |
