晶体生长装置

基本信息

申请号 CN201911308001.1 申请日 -
公开(公告)号 CN110886014B 公开(公告)日 2021-07-27
申请公布号 CN110886014B 申请公布日 2021-07-27
分类号 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 申请(专利权)人 福建北电新材料科技有限公司
代理机构 北京超成律师事务所 代理人 王雪
地址 362200福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种晶体生长装置,涉及晶体制备装置的技术领域,该晶体生长装置包括坩埚、包覆在坩埚的外侧的保温罩以及隔离罩;隔离罩沿坩埚的侧壁的周向环设在坩埚的侧壁与保温罩之间。本发明通过在保温罩与坩埚之间设置隔离罩,隔离罩避免了硅蒸气逸出到保温罩上,从而避免了对保温罩造成腐蚀,保证了保温罩的保温效果,提高了晶体生长的稳定性;并延长了保温罩的使用寿命,使得保温罩不需要频繁更换,也不需要加厚,节约了制备保温罩的保温材料,降低了保温罩的用料成本以及人工更换的人工成本。