一种坩埚结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种坩埚结构

基本信息

申请号	CN202110452826.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113151897A	公开（公告）日	2021-07-23
申请公布号	CN113151897A	申请公布日	2021-07-23
分类号	C30B23/00;C30B29/36	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣	申请（专利权）人	福建北电新材料科技有限公司
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	冯洁
地址	362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种坩埚结构，涉及碳化硅单晶制备装置领域；该坩埚结构包括坩埚本体、第一导流组件和分流组件；坩埚本体的底部用于放置SiC粉料，坩埚本体的顶部具有用于放置SiC籽晶的放置区域；第一导流组件设置于坩埚本体内，与坩埚本体的内侧壁贴合，且第一导流组件包括第一导流环，第一导流环两端均具有正对放置区域的第一开口，且第一导流环在坩埚本体底部至顶部方向上尺寸逐渐减小；分流组件包括盖体，盖体盖设于靠近坩埚本体顶部的第一开口外，且与第一导流环间隔设置并与第一导流环形成用于与第一开口连通的间隙，间隙用于供SiC粉料升华后的气氛流通。该坩埚结构能显著减少碳包裹物产生且能有效地减少晶体生长过程中螺旋错位产生。