镀层方格、坩埚装置和晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202110420515.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113122915A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113122915A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人 | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘曾 |
| 地址 | 362200福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀层方格、坩埚装置和晶体生长方法。镀层方格包括支撑环和方格网；支撑环能够用于支撑镀层方格设置在坩埚中，且支撑环的外壁能够用于抵持在坩埚的内壁上；支撑环具有与坩埚内部连通的连通孔，方格网设置在连通孔的周缘上；方格网具有多个沿坩埚高度方向延伸的导通孔。其能够保障碳化硅晶体的生长速度和产品品质。 |
