碳化硅晶体及其生长方法和装置、半导体器件以及显示装置
基本信息
| 申请号 | CN201911363245.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110904509B | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN110904509B | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 邓树军;张洁;汪良;付芬 | 申请（专利权）人 | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超成律师事务所 | 代理人 | 唐宁 |
| 地址 | 362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅晶体及其生长方法和装置、半导体器件以及显示装置，涉及晶体生长技术领域，碳化硅晶体的生长方法包括：将第一碳化硅籽晶层的第一表面与第二碳化硅籽晶层的第三表面相接触；分别在第一碳化硅籽晶层的第二表面和第二碳化硅籽晶层的第四表面生长碳化硅晶体；其中，第一表面与第二表面为第一碳化硅籽晶层相互对立的两个表面，第三表面与第四表面为第二碳化硅籽晶层相互对立的两个表面。该方法操作简单、方便，易于实现，可以同时生长两块碳化硅晶体，产率较高。 |
