一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410312711.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104051521B | 公开（公告）日 | 2017-03-22 |
| 申请公布号 | CN104051521B | 申请公布日 | 2017-03-22 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯倩;代波;董良;杜锴;郑雪峰;张春福;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人 | 陕西西安电子科大资产经营有限公司 |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、钝化层1、ITO栅电极、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述钝化层1与有机绝缘层PTFE之间设有ITO栅电极，所述有机绝缘层上设有ITO电极2，所述有机绝缘层与漏极之间设有钝化层2。本发明成功的减少了所控制部分的2DEG的浓度，且避免了对材料的晶格损伤，还利用了ITO的场板效应大大增加了击穿电压的范围，使得器件的性能有了较大幅度的提升。 |
