离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

基本信息

申请号	CN201310279945.7	申请日	-
公开（公告）号	CN103367416B	公开（公告）日	2015-09-30
申请公布号	CN103367416B	申请公布日	2015-09-30
分类号	H01L29/775(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	马晓华;汤国平;郝跃;陈伟伟;赵胜雷	申请（专利权）人	陕西西安电子科大资产经营有限公司
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
地址	710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；缓冲层采用GaN，势垒层采用AlGaN；势垒层上局部区域注入有负离子，注入有负离子的区域为若干相互隔开的条形；条形之间未注入离子的区域宽度为纳米量级，在该区域下面的异质结中形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基器件相比具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。