基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法

基本信息

申请号	CN201310039823.0	申请日	-
公开（公告）号	CN103151246B	公开（公告）日	2015-09-02
申请公布号	CN103151246B	申请公布日	2015-09-02
分类号	H01L21/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	郭辉;韦超;张玉明;张克基;雷天民;胡彦飞	申请（专利权）人	陕西西安电子科大资产经营有限公司
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
地址	710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于Cu膜退火和氯气反应的侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及石墨烯器件载流子迁移率低等问题。其实现步骤是：在清洗后Si样片上生长碳化层进而形成3C-SiC薄膜；在3C-SiC薄膜上淀积SiO₂，并在SiO₂上光刻出侧栅晶体管图形窗口；将光刻后的3C-SiC与Cl₂反应，生成碳膜；将碳膜样片置于氢氟酸溶液中去除SiO₂；将去除SiO₂后的碳膜样片置于Cu膜上，再将该整体置于Ar气中，高温下退火，使碳膜重构为石墨烯；在石墨烯样片上淀积金属Pd层和Au层，再刻蚀出侧栅晶体管的金属接触。本发明制作的石墨烯连续性好，其工艺过程保证了晶体管的迁移率，提升了器件性能。