加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

基本信息

申请号	CN201410025519.5	申请日	-
公开（公告）号	CN103779407B	公开（公告）日	2016-05-18
申请公布号	CN103779407B	申请公布日	2016-05-18
分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	冯倩;杜锴;马晓华;郑雪峰;代波;郝跃	申请（专利权）人	陕西西安电子科大资产经营有限公司
代理机构	北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司	代理人	西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
地址	710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种加源场板耗尽型AlGaN/GaN?HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成栅极、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间)，形成硅化物(NiSi,TiSi₂等等)，将厚绝缘层上的硅化物与源极电连接形成源场板结构。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻、高工作频率、高击穿电压的耗尽型AlGaN/GaN?HEMT器件。