基于超结槽栅的高压器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410029825.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103779411B | 公开（公告）日 | 2017-01-25 |
| 申请公布号 | CN103779411B | 申请公布日 | 2017-01-25 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯倩;杜锴;马晓华;郑雪峰;代波;郝跃 | 申请（专利权）人 | 陕西西安电子科大资产经营有限公司 |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于超结槽栅的高压器件及其制作方法，依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和漏极，源极和栅极之间设有线性AlGaN层，栅极和漏极之间的部分区域设有线性AlGaN层，后者的线性AlGaN层上设有p‑GaN层，p‑GaN层上设有基极，所述栅极位于线性AlGaN层上方的部分还向源极方向形成有栅源场板；上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。 |
