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测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法

基本信息

申请号 CN201410317290.2 申请日 -
公开（公告）号 CN104062484B 公开（公告）日 2016-08-17
申请公布号 CN104062484B 申请公布日 2016-08-17
分类号 G01R19/00(2006.01)I 分类 测量；测试;
发明人 郑雪峰;范爽;康迪;王冲;张建坤;杜鸣;毛维;曹艳荣;马晓华;郝跃 申请（专利权）人 陕西西安电子科大资产经营有限公司
代理机构 陕西电子工业专利中心 代理人 西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种测试HEMT器件体泄漏电流和表面泄漏电流的方法，主要解决现有技术不能对常规HEMT器件的栅泄漏电流进行体泄漏电流与表面泄漏电流分离测试的问题。其实现方案是：制作两个与被测HEMT器件结构相同，栅电极尺寸各不相同的测试辅助器件；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和这两个测试辅助器件的栅泄漏电流；将两个测试辅助器件的栅泄漏电流作差得到被测HEMT器件的体泄漏电流；用被测HEMT器件的栅泄漏电流与其体泄漏电流作差，得到被测HEMT器件的表面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析体泄漏电流和表面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。