一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410312757.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104064595B | 公开（公告）日 | 2016-11-09 |
| 申请公布号 | CN104064595B | 申请公布日 | 2016-11-09 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯倩;董良;代波;杜锴;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃 | 申请（专利权）人 | 陕西西安电子科大资产经营有限公司 |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭官厚 |
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN?MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上依次设有源极、钝化层1、ITO栅电极1、有机绝缘层PTFE、钝化层2、LiF和漏极，所述源极与ITO栅电极1之间设有钝化层1，所述PTFE上设有ITO栅电极2，所述PTFE与漏极间设有钝化层2，所述漏极与钝化层2间设有LiF薄膜层，所述漏极与LiF层上设有Al金属层。本发明利用LiF和Al所产生的偶极子层增加了2DEG浓度，减小了器件导通电阻，并漏场板结构提高了器件的击穿电压。 |
