一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711435523.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108231394B | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN108231394B | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01F41/02;C23C14/35;C23C14/16 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋振纶;丁雪峰;胡方勤;杨丽景;郑必长;姜建军;张青科 | 申请（专利权）人 | 包头希迪瑞科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘诚午 |
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，采用磁控溅射的方法在烧结钕铁硼磁体表面制备重稀土薄膜，然后经离子束辅助真空热扩散处理工艺，最后经回火处理得到所述高矫顽力钕铁硼磁体；所述热扩散处理工艺的温度为600～800℃，时间为6～12h。本发明提供了一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，显著降低了热扩散处理的温度，缩短了热扩散处理的时间，且使得烧结钕铁硼磁体的矫顽力得到进一步的提升。 |
