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晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法

基本信息

申请号 CN201910023352.1 申请日 -
公开（公告）号 CN111430142B 公开（公告）日 2021-12-07
申请公布号 CN111430142B 申请公布日 2021-12-07
分类号 H01F41/02（2006.01）I;H01F1/057（2006.01）I;C21D1/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 宋振纶;杨丽景;郑必长;李伟东;朱启航 申请（专利权）人 包头希迪瑞科技有限公司
代理机构 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 代理人 李丽华
地址 315201浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，所述方法包括：提供钕铁硼预制磁体；在钕铁硼预制磁体表面形成重稀土薄膜；将形成有重稀土薄膜的钕铁硼预制磁体进行热处理和回火处理，获得预制体，其中，预制体中包括正常壳层以及依次包覆于正常壳层的过渡层和反常壳层，正常壳层中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的边缘处至主相晶粒的中心部位逐渐降低，反常壳层中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的边缘处至主相晶粒的中心部位逐渐升高；去除反常壳层，得到钕铁硼磁体。本发明的方法能够使较厚的钕铁硼磁体也可以采用晶界扩散的方法来提高矫顽力，提高了晶界扩散对钕铁硼磁体厚度的适应性，解决了晶界扩散受磁体厚度的限制问题。