一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备

基本信息

申请号	CN202110465438.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113265613A	公开（公告）日	2021-08-17
申请公布号	CN113265613A	申请公布日	2021-08-17
分类号	C23C14/00;C23C14/06	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	唐云俊;王昱翔;陈立翰;周虹玲;周东修	申请（专利权）人	浙江艾微普科技有限公司
代理机构	嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王大国
地址	314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种应力可调控的、反应溅射AlN薄膜的制备方法和设备，包括工艺腔体，所述工艺腔体内设置有靶材和基片台，所述基片台通过导线连接匹配网络，所述匹配网络通过导线连接射频电源，方法包括如下步骤，S1：运行参数的调试，首先编制迟滞回线工艺菜单，上载基片，运行迟滞回线菜单并绘制记录迟滞回线，确定稳定反应溅射时各参数的数值，并记录为指定值，完成调试后下载基片；S2：根据绘制的迟滞回线的指定值编制工艺菜单，将基片上载至工艺腔体的基片台上；S3：运行工艺菜单，完成指定工艺时间后下载基片；S4：测量基片应力，本发明可以通过调整施加的偏压电场的功率或电压，以改变薄膜的晶体生长模式，从而改变薄膜的内应力状态和大小。