一种离子辅助、倾斜溅射、反应溅射沉积薄膜的方法及设备
基本信息
| 申请号 | CN202110268042.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113061857A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113061857A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/06;C23C14/08 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周东修 | 申请（专利权）人 | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王大国 |
| 地址 | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种离子辅助、倾斜溅射、反应溅射沉积薄膜的方法，包括如下步骤，运行参数的调试，编制迟滞回线菜单，首先确定基础参数，基础参数包括离子源电源功率和连接靶材的射频电源功率、脉冲电源功率、基片台倾斜角度、工艺气体压力、工艺气体流量变化和工艺时间，然后参数的设置，按照设置的参数运行，完成指定工艺时间，下载基片，本发明采用离子辅助、倾斜溅射、混频电源、基片冷却的反应溅射的方法及设备，克服现有氧化铝薄膜沉积速率低，对基片上3D结构的裹覆率不高、基片温度较高的缺点。 |
