离子源及离子刻蚀设备
基本信息
| 申请号 | CN202022399024.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213184195U | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN213184195U | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01J27/18;H01J37/08;H01J37/305 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周东修 | 申请（专利权）人 | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王大国 |
| 地址 | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种离子源及离子刻蚀设备，包括栅栏、射频电源线圈、石英腔、气流导向结构和用于调节离子源产生的离子流密度的可调磁场装置，所述可调磁场装置包括至少三个不同轴的电磁铁，所有电磁铁均连接有调节角度的驱动装置，所有电磁铁之间相互独立，通过改变各个电磁铁的电流和倾斜角，产生不同强度和方向的磁场，它们就可以独立或者共同耦合来改变离子流的密度，进而提高整个区域的刻蚀速率均匀度。 |
