均匀薄膜沉积的设备
基本信息
| 申请号 | CN202120714152.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215517614U | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN215517614U | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周东修 | 申请（专利权）人 | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王大国 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种均匀薄膜沉积的设备，包括沉积腔体，沉积腔体内设置有溅射靶材、靶支架和基片台，基片台上设置有晶圆放置区，还包括连接至沉积腔体内的工艺气体分配系统，工艺气体分配系统包括多个工艺气体引导通道，多个工艺气体引导通道伸入沉积腔体内的一端位于晶圆放置区的外侧周围，能够将工艺气体导入沉积腔体内，所述每个工艺气体引导通道均独立连接有质量流量控制器，本实用新型具有多位置独立引进工艺工艺气体，通过调整不同位置的工艺气体流量，从而克服沉积腔体内真空设计不对称的问题，进而形成均匀的气流分布，并提高薄膜沉积的均匀性。 |
