一种离子辅助的多靶磁控溅射设备
基本信息
| 申请号 | CN202111504598.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114015997A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114015997A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐云俊;王昱翔 | 申请（专利权）人 | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王大国 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装置与磁控管装置围绕晶圆台的中心均分布，所述离子源装置与磁控管均朝向晶圆台并与晶圆台呈角度倾斜布置，本发明能够在一个工艺腔体内装置多个靶材的离子辅助PVD溅射系统，无需多个工艺腔室，且无需多次的装夹，效率高。 |
