一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备及方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备及方法

基本信息

申请号	CN202110702031.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113337795A	公开（公告）日	2021-09-03
申请公布号	CN113337795A	申请公布日	2021-09-03
分类号	C23C14/06（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	唐云俊;王昱翔;周虹玲;周东修	申请（专利权）人	浙江艾微普科技有限公司
代理机构	嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王大国
地址	314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备和方法，设备包括包括工艺腔体，所述工艺腔体上设置有工艺气体进口和真空吸口，工艺气体进口连接有氮气管道和氩气管道，方法包括如下工艺步骤，S1：编制迟滞回线菜单；S2：上载基片，运行上述迟滞回线菜单；S3：下载基片，绘制迟滞回线菜单；S4：依据迟滞回线，确定反应溅射氮化铝的氮气流量并编制工艺菜单；S5：上载基片，运行工艺菜单；S6：下载基片，测量薄膜光学参数；S7：若未达标，进入步骤S8；若达标，则满足要求，结束。S8：微调氮气流量，形成新的工艺菜单；重复步骤S5‑S7，本发明可以通过精确调控反应溅射中工艺气体的氮气的含量，从而对氮化铝（AlN）的折射率进行调控，以达到设计的需求。