离子辅助、倾斜溅射的PVD系统
基本信息
| 申请号 | CN202120137380.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215209603U | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN215209603U | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周东修 | 申请（专利权）人 | 浙江艾微普科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王大国 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种离子辅助、倾斜溅射的PVD系统，包括腔室，腔室内设置有等离子体源、靶支架和基板载物台，所述基板载物台的正面周围设置有气体喷淋单元，所述气体喷淋单元包括喷气环，基板载物台对应喷气环的中间用以放置基片，所述气体喷淋单元还包括若干喷孔，若干喷孔在喷气环的内侧沿圆周均匀分布，所述喷气环上设置有与喷孔连通的气道，本实用新型具有可以用于喷出如氧气的处理气体的气体喷淋单元，以促进在溅射沉积过程中处理气体与靶材溅射处的颗粒之间的化学反应，喷孔可以沿着气管的长度方向均匀分布，使得化学反应在晶圆的表面上可以基本均匀的进行。 |
