高压大驱动高电源抑制比LDO
基本信息
| 申请号 | CN202010801443.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111813175A | 公开（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申请公布号 | CN111813175A | 申请公布日 | 2020-10-23 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 胡锦通 | 申请（专利权）人 | 英彼森半导体（珠海）有限公司 |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 英彼森半导体（珠海）有限公司 |
| 地址 | 519000广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷18栋316室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。本发明针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题。包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。本发明可使输出电压噪声大幅度降低，并保证工作点稳定。 |
