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一种芯片热源分层的热模型建模方法

基本信息

申请号 CN202110459672.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113158475A 公开（公告）日 2021-07-23
申请公布号 CN113158475A 申请公布日 2021-07-23
分类号 G06F30/20;G06F119/08 分类 计算；推算；计数;
发明人 邓二平;陈杰;刘鹏;黄永章 申请（专利权）人 华电（烟台）功率半导体技术研究院有限公司
代理机构 烟台智宇知识产权事务所（特殊普通合伙） 代理人 李彬
地址 264006 山东省烟台市开发区香港路16号华日工业园2号楼101号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种芯片热源分层的热模型建模方法，涉及热模型仿真领域。将芯片分为两个面热源和一个体热源。第一面热源的芯片集电极侧PN结距离集电极表面非常近，该部分产生的热量定义在集电极表面，第二面热源的沟道区距离芯片发射极表面非常近，该部分产生的热量定义在发射极表面，在热模型中定义为面热源；体热源的基区厚度占整个芯片厚度的98％左右，该部分产生的热量定义在整个芯片有源区中，在热模型中定义为体热源。通过对芯片集电极侧PN结开启电压、芯片基区电阻和芯片发射极侧沟道区的电阻的提取。不需要进行复杂的半导体仿真，即可提高传统单一热源仿真模型的精度，实现了对仿真难度和精度的兼顾。