高占空比MEMS微镜、微镜阵列及制备方法
基本信息
申请号 | CN202111004154.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113820852A | 公开(公告)日 | 2021-12-21 |
申请公布号 | CN113820852A | 申请公布日 | 2021-12-21 |
分类号 | G02B26/08(2006.01)I | 分类 | 光学; |
发明人 | 李伟;徐静 | 申请(专利权)人 | 安徽中科米微电子技术有限公司 |
代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 卢炳琼 |
地址 | 233000安徽省蚌埠市禹会区科创产业园5号厂房 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种高占空比MEMS微镜、微镜阵列及制备方法,该MEMS微镜的第一可动梳齿、第一固定梳齿位于反射镜硅层的下方,在实现两个方向大角度偏转的同时,提高了MEMS微镜的占空比,有效减小了MEMS微镜的体积。反射镜硅层下方带有加强筋结构,有效改善了MEMS微镜在静止及运动过程中的表面平整度。此外,本发明的MEMS微镜提供了包括双面电极结构在内的多种电极引出形式,应用时可以根据实际情况进行选择,更有利于MEMS微镜及微镜阵列的市场化应用。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具有高度产业利用价值。 |
