一种基于FinFET器件的单轨电流模一位全加器
基本信息
申请号 | CN201610896908.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106505995A | 公开(公告)日 | 2017-03-15 |
申请公布号 | CN106505995A | 申请公布日 | 2017-03-15 |
分类号 | H03K19/20(2006.01)I;G06F7/501(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 张霞;刘伏亮;吴晟姗 | 申请(专利权)人 | 宁波华盾新能源科技有限公司 |
代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 姚海波 |
地址 | 315040 浙江省宁波市高新区华城花园25号7-2 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种基于FinFET器件的单轨电流模一位全加器,包括依次连接的偏置电路、求和输出电路和进位输出电路,求和输出电路包括第三P型FinFET管、与第三P型FinFET管分别连接的第四P型FinFET管和第四N型FinFET管;第四N型FinFET管与并联的第五N型FinFET管和第六N型FinFET管连接;第七N型FinFET管与并联的第五N型FinFET管和第六N型FinFET管、并联的第九N型FinFET管和第十N型FinFET管分别连接。本发明采用差分的单轨电流模结构,在FinFET 单轨电流模下拉网路中N型FinFET管采取并联结构来实现多输入“或非”功能,避免了N型FinFET管间的串联配置,从而优化了电路性能,使得电路在标准电压和超阈值条件下仍然可以正常工作。 |
