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一种基于FinFET器件的单轨电流模一位全加器

基本信息

申请号	CN201610896908.4	申请日	-
公开（公告）号	CN106505995B	公开（公告）日	2019-07-19
申请公布号	CN106505995B	申请公布日	2019-07-19
分类号	H03K19/20;G06F7/501	分类	基本电子电路;
发明人	张霞;刘伏亮;吴晟姗	申请（专利权）人	宁波华盾新能源科技有限公司
代理机构	杭州华进联浙知识产权代理有限公司	代理人	李丽华
地址	315040 浙江省宁波市高新区华城花园25号7-2
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于FinFET器件的单轨电流模一位全加器，包括依次连接的偏置电路、求和输出电路和进位输出电路，求和输出电路包括第三P型FinFET管、与第三P型FinFET管分别连接的第四P型FinFET管和第四N型FinFET管；第四N型FinFET管与并联的第五N型FinFET管和第六N型FinFET管连接；第七N型FinFET管与并联的第五N型FinFET管和第六N型FinFET管、并联的第九N型FinFET管和第十N型FinFET管分别连接。本发明采用差分的单轨电流模结构，在FinFET单轨电流模下拉网路中N型FinFET管采取并联结构来实现多输入“或非”功能，避免了N型FinFET管间的串联配置，从而优化了电路性能，使得电路在标准电压和超阈值条件下仍然可以正常工作。