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晶体制备压力容器的压力控制系统

基本信息

申请号	CN202110798426.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113502545A	公开（公告）日	2021-10-15
申请公布号	CN113502545A	申请公布日	2021-10-15
分类号	C30B29/40（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	袁韶阳;于会永;冯佳峰	申请（专利权）人	大庆溢泰半导体材料有限公司
代理机构	黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙淑荣
地址	163000黑龙江省大庆市高新区新泰路3号
法律状态	-

摘要

一种晶体制备压力容器的压力控制系统，涉及压力控制技术领域，包括压力容器、密封石英管和压力容器的进气排气系统，所述的密封石英管位于压力容器内，所述的密封石英管不少于三个，多个密封石英管依次套装，用于磷化铟单晶生长的多晶料、掺杂剂、液封剂及红磷装于最内层的密封石英管内，其余密封石英管内填充有石墨粉和红磷，其中红磷的质量由内管向外管呈梯度下降，保证磷升华为P4状态每层石英管的内外压差均不大于1atm，密封石英管底部与其外层的密封石英管底部之间设置有支撑块。本发明使得由内向外每一层石英管内的压强呈梯度下降，从而使最内层石英管的内压与压力容器的内压实现了平稳过渡，避免密封石英管内外压差剧变发生炸管事故。