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一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置

基本信息

申请号	CN202120631538.8	申请日	-
公开（公告）号	CN214529324U	公开（公告）日	2021-10-29
申请公布号	CN214529324U	申请公布日	2021-10-29
分类号	C30B31/18（2006.01）I;C30B31/08（2006.01）I;C30B29/42（2006.01）I;C23C16/26（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	雷仁贵;于会永;冯佳峰;袁韶阳;赵中阳;张军军;赵春锋	申请（专利权）人	大庆溢泰半导体材料有限公司
代理机构	黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙淑荣
地址	163000黑龙江省大庆市高新区新泰路3号
法律状态	-

摘要

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置，涉及半导体材料技术领域，包括石英管，石英管内沿周向均匀放置有PBN坩埚，每个PBN坩埚下端通过一个支撑件进行支撑，石英管下侧的密封卡头下方设置有与支撑件同轴的行星轮，排气管路与石英管同轴，排气管路上固定安装有太阳轮，每一个行星轮与太阳轮齿轮啮合，下侧的密封卡头侧面设置有驱动轮，驱动轮与密封卡头齿轮啮合。本申请在工艺上既保证了C沿轴向的均匀分布，PBN坩埚内壁多余的C，又会与液封剂B2O3发生化学反应而析出，不会影响单晶的成品率。本申请在结构上一次可进行多只PBN坩埚的碳沉积，气相沉积过程中石英管及内侧的PBN坩埚均处于转动状态，使每一只PBN坩埚径向受热更均匀，碳沉积也就更加均匀。