一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
基本信息
| 申请号 | CN202020297577.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212270279U | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN212270279U | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 于会永;冯佳峰;赵中阳;赵春锋;张军军;雷仁贵;肖亚东;袁韶阳;吴凤祥 | 申请（专利权）人 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 地址 | 163000黑龙江省大庆市高新区火炬新街36号新兴产业孵化器（园区）3#210房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于制备磷化铟单晶的高压炉，具体为磷化铟领域，包括装置底座，所述装置底座的底部固定安装有装置滚轮，所述装置底座的顶部固定安装有电源箱，所述装置底座的顶部固定安装有支撑座，所述支撑座的顶部固定安装有固定座，所述活动杆的内部固定安装有升降控制装置，所述坩埚的表面活动安装有阀门。本实用新型通过设置可移动底座减震装置，使得整体装置在使用的时候也可以通过该装置进行移动，使得其的使用环境以及场地不再受到限制，而且位都可拆卸，在一定程度上节省了人力，既避免了原装置不便于移动的问题，又解决了该装置在使用的过程中震动过大影响整个装置的问题。 |
